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[導讀]據多家外媒報道,在IEEE國際電子設備會議(IEDM)上,一張英特爾即將推出的制造工藝的擴展路線圖被透露,其中顯示,英特爾未來將推出7nm、5nm、3nm、2nm和1.4nm工藝。而這張圖是由ASML發言人在會議上展示的,ASML表示,此圖為英特爾9月在一次光刻會議上展示的。然而英特爾方面則澄清,這張圖被ASML修改過了。

12月12日 訊 - 近日,據多家外媒報道,在IEEE國際電子設備會議(IEDM)上,一張英特爾即將推出的制造工藝的擴展路線圖被透露,其中顯示,英特爾未來將推出7nm、5nm、3nm、2nm和1.4nm工藝。而這張圖是由ASML發言人在會議上展示的,ASML表示,此圖為英特爾9月在一次光刻會議上展示的。然而英特爾方面則澄清,這張圖被ASML修改過了。

ASML發言人展示的路線圖

通過對比,的確英特爾并未標注出制程的具體信息,不過大致的路線是相同的。

英特爾澄清的路線圖

作為其合作伙伴,ASML對于英特爾的工藝路線可謂是心知肚明,這樣擅自更改PPT并公開究竟是何種原因造成的,目前尚未擁有確切消息。有媒體猜測,兩張路線圖都是在2021年才會使用上EUV設備,這是否是一種催單也并非不可能。

在IEDM會議上,關于5nm的討論很多,因此其中一些改進,諸如制造、材料、一致性等,最終將最終以英特爾的5nm工藝結束,這取決于與之合作的設計公司(歷史上是應用材料公司(ASML))。

不過可以確定的是,在摩爾定律方面,英特爾依然是處于“尋路”模式,超越5nm,即3nm / 2nm / 1.4nm,當然繼續在摩爾定律上面“死磕”將會是一筆不小的花費。

值得一提的是,英特爾的這張路線圖還提到了在舊工藝的升級版本中進行“反向移植”( Backport)帶來的機會。包括可以將7nm產品反向移植到10nm+++,可以將5nm產品反向移植到7nm++,可以將3nm產品反向移植到3nm++,而可以將2nm產品反向移植到3nm ++。不過,對于1.4nm節點沒有提到反向移植。

另外,今年IEDM上的一些演講使用的是所謂的“ 2D自組裝”材料,其尺寸大約為0.3nm,這么小的尺寸并不新鮮,但對于硅而言很新鮮。

值得注意的是,5nm被列為2023年的節點,大約在ASML開始銷售其“高NA” EUV機的時候,以幫助在制造過程中更好地定義路徑。并不確定High NA是否會在5nm或3nm處攔截,假設英特爾的此路線圖的日期正確且英特爾能夠堅持下去,但這是需要考慮的問題。

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